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威兆MOS的工艺
威兆MOS的工艺
设计公司+晶片代工模式
1.使用8英寸晶片制造产品
2. 高集成度产品制造能力
3. 高可靠性，相对低的成本
4.设备平台，生产工艺，工艺技术
5.宽电压范围：-100VDS-200VDS沟槽MOS，200VDS-900VDS平面MOS，45V-100V沟槽肖特 基
6.低内阻，高集成度，降低功耗：0.12 mΩ/cm², world class RDS *Area 133Mcell/in² closed cell density.
7.优异的开关特性：World class RG, Qg, trr, Crss / Ciss…
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