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威兆工艺技术

返回列表 来源：佰洛达 浏览：- 发布日期：2019-01-22 15:11:38【大 中 小】

                                                                                          威兆工艺技术

一.威兆工艺技术

1. 宽电压范围：-100VDS-200VDS沟槽MOS，200VDS-900VDS平面MOS，45V-100V沟槽肖特 基 

2.低内阻，高集成度，降低功耗：0.12 mΩ/cm², world class RDS *Area 133Mcell/in² closed cell density. 

3.优异的开关特性：World class RG, Qg, trr, Crss / Ciss…

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